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PFQB5016 Guerte

Produktcode: 154060

Hersteller: Guerte
Gehäuse: 47х30х8,5мм
Urew: 1600 V
I dir: 50 A
Zus.Info: Діодна збірка
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A

verfügbar 11 Stück:

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SKiiP23NAB126V1
Produktcode: 51901

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Hersteller: Semicron
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 41
Ic 100: 31
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 85/465

verfügbar: 589 Stück

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Anzahl	Preis
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SPP20N60C3
Produktcode: 25463

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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT

auf Bestellung 197 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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Макетная плата 18x30 односторонняя
Produktcode: 144389

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Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 180x300мм
Опис: Макетна плата одностороння, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 7168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння

auf Bestellung 139 Stück:

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VS-30ETH06FP
Produktcode: 174425

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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Trr, ns: 23 ns
Austauschbar:: THT

auf Bestellung 75 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MBR20200CT JSMicro
Produktcode: 193203

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Hersteller: JSMicro
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 200 V
If(A): 20 A
VF@IF: 0,9 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 200 A

auf Bestellung 401 Stück:

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