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PM100RSD120 MIT

Hersteller: MIT
MODULE

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Produktrezensionen

Technische Details PM100RSD120 MIT

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule, Gehäuse: 135x110x34,7 mm, Vces: 1200 V, Vce: 20 V, Ic 25: 50 A, Pd 25: 595 W.

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
PM100RSD120			auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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PM100RSD120	Hersteller : Mitsubishi Electric	Gate Drivers IPM MODULE	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH