PRF957,115 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 270mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
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Technische Details PRF957,115 NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 270mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V, Frequency - Transition: 8.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: SC-70.
Weitere Produktangebote PRF957,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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PRF957,115 | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3 Supplier Device Package: SC-70 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz Frequency - Transition: 8.5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 270mW Operating Temperature: 175°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
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PRF957,115 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 10V 100MA 8.5GHZ |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PRF957,115 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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| PRF957,115 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
Frequency - Transition: 8.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 270mW
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
Frequency - Transition: 8.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 270mW
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Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
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| PRF957,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN 10V 100MA 8.5GHZ
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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