RFP14N05L Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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Technische Details RFP14N05L Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| RFP14N05L | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RFP14N05L | Harris |
(MFET,N-CH,LL,50V,14A,TO-220AB) Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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RFP14N05L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RFP14N05L |
![]() |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| RFP14N05L |
![]() |
Hersteller: Harris
(MFET,N-CH,LL,50V,14A,TO-220AB) Транзистори
(MFET,N-CH,LL,50V,14A,TO-220AB) Транзистори
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| RFP14N05L |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3
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Package / Case: TO-220-3
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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