RJH60D7DPK-00#T0 Renesas
Produktcode: 59037
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Renesas
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 90 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 A
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJH60D7DPK-00#T0 | Renesas Electronics Corporation |
Description: IGBT TRENCH 600V 90A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 60ns/190ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 300V, 50A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 300 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RJH60D7DPK-00#T0 | Renesas Electronics |
IGBT Transistors POWER TRS IGBT |
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| RJH60D7DPK-00#T0 |
|
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 600V 90A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/190ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 300 W
Description: IGBT TRENCH 600V 90A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/190ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 300 W
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Hersteller: Renesas Electronics
IGBT Transistors POWER TRS IGBT
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