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RJP020N06T100

RJP020N06T100 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
3000+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
7000+0.6 EUR
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Technische Details RJP020N06T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

Weitere Produktangebote RJP020N06T100 nach Preis ab 0.68 EUR bis 3.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RJP020N06T100 RJP020N06T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 8641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RJP020N06T100 RJP020N06T100 ROHM Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs N-CH 60V 2.5A
auf Bestellung 6787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RJP020N06T100 RJP020N06T100 ROHM datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
119+1.96 EUR
171+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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RJP020N06T100 RJP020N06T100 ROHM datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
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RJP020N06T100 ROHM - Japan datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 RJP020N06T100 ROHM TRJP020n06t100
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RJP020N06 T100 ROHM SOT89
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJP020N06T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RJP020N06T100 datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJP020N06T100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CH 60V 2.5A
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10+1.73 EUR
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RJP020N06T100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
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RJP020N06T100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJP020N06T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.165 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ROHM - Japan
N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 RJP020N06T100 ROHM TRJP020n06t100
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RJP020N06 T100
Hersteller: ROHM
SOT89
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJP020N06T100 datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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