RUM002N05T2L ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 4450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 725+ | 0.099 EUR |
| 800+ | 0.09 EUR |
| 1035+ | 0.069 EUR |
| 1095+ | 0.065 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RUM002N05T2L ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RUM002N05T2L nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RUM002N05T2L | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RUM002N05T2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 214286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RUM002N05T2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
auf Bestellung 736000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
auf Bestellung 763461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RUM002N05T2L | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN |
auf Bestellung 189479 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RUM002N05T2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 8210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 8210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
RUM002N05T2L Produktcode: 104373 |
Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
Produkt ist nicht verfügbar
|