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RUM002N05T2L

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Produktcode: 104373
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 256000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.13 EUR
16000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
40000+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 159501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1359+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 1077 Stücke
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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Mindestbestellmenge: 720 Stücke
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
261+0.32 EUR
393+0.21 EUR
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693+0.12 EUR
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L ROHM datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
1235+0.19 EUR
1283+0.17 EUR
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L ROHM Semiconductor rum002n05_e-1873323.pdf MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
auf Bestellung 141726 Stücke:
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L ROHM rum002n05-e.pdf Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6865 Stücke:
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 261343 Stücke:
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
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RUM002N05T2L datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N05T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 256000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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RUM002N05T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 159501 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1077+0.17 EUR
1359+0.13 EUR
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RUM002N05T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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RUM002N05T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 23984 Stücke:
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1000+0.24 EUR
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RUM002N05T2L
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8285 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
193+0.44 EUR
261+0.32 EUR
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8000+0.077 EUR
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RUM002N05T2L
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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553+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 553 Stücke
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RUM002N05T2L rum002n05_e-1873323.pdf
RUM002N05T2L
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
auf Bestellung 141726 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+0.55 EUR
10+0.38 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.099 EUR
8000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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RUM002N05T2L
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6865 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.55 EUR
1142+0.2 EUR
1226+0.18 EUR
1323+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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RUM002N05T2L datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N05T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 261343 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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RUM002N05T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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100 MOhm 5% 0,1W 150V 0603 (HHR0603JR-100MR – Hitano)
Produktcode: 112362
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100 MOhm 5% 0,1W 150V 0603 (HHR0603JR-100MR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 100 МОм
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,1 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0603
auf Bestellung: 4059 St.
  • 4059 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano)
Produktcode: 112345
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1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 GOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,25 Вт
U Betrieb, V: 300 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 2036 St.
  • 2036 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138W
Produktcode: 49988
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ds30206-datasheet.pdf
BSS138W
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
auf Bestellung: 91808 St.
  • 91808 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.075 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Id, A: -4,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 13226 St.
  • 13226 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.19 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
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10nF 630V X7R 10% 1206 (GRM31BR72J103KW01L-Murata) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 26217
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murata_grm_series-datasheet.pdf
10nF 630V X7R 10% 1206 (GRM31BR72J103KW01L-Murata) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Murata
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 630 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 3000 St.
  • 3000 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.092 EUR
100+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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