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RUM002N05T2L

RUM002N05T2L

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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 504000 Stücke:
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16000+0.095 EUR
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 159501 Stücke:
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : ROHM Semiconductor rum002n05_e-1873323.pdf MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : ROHM datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : ROHM rum002n05-e.pdf Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6865 Stücke:
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RUM002N05T2L Hersteller : Rohm datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-723 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Hersteller: 100 MOhm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 150 V
U Betriebs.,V: 0603
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1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano)
Produktcode: 112345
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1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 GOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 300 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 2136 St.:
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BSS138W
Produktcode: 49988
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ds30206-datasheet.pdf
BSS138W
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323-3
Uds,V: 50
Idd,A: 01.02.2000
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
auf Bestellung 94587 St.:
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Anzahl Preis
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10+0.072 EUR
100+0.06 EUR
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IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
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Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.16 EUR
100+0.1 EUR
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10nF 630V X7R 10% (GRM31BR72J103KW01L-Murata) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 26217
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murata_grm_series-datasheet.pdf
10nF 630V X7R 10% (GRM31BR72J103KW01L-Murata) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Murata
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 630V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
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