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RUM002N05T2L

RUM002N05T2L

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Produktcode: 104373
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ZCODE: 8541290010
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 629008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.083 EUR
16000+0.075 EUR
24000+0.072 EUR
40000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 159501 Stücke:
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1077+0.13 EUR
1359+0.1 EUR
2000+0.094 EUR
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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2500+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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10000+0.15 EUR
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : ROHM Semiconductor rum002n05_e-1873323.pdf MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
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1000+0.083 EUR
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
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Anzahl Preis
34+0.53 EUR
55+0.32 EUR
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1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : ROHM datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2580 Stücke:
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
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RUM002N05T2L RUM002N05T2L Hersteller : ROHM rum002n05-e.pdf Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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