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BSS138W

BSS138W Fairchild

ds30206-datasheet.pdf
Produktcode: 49988
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-323
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS138W BSS138W GOODWORK 1779679449377189.pdf Description: 55V300mA1.2@10VSOT-323
auf Bestellung 30000 Stücke:
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BSS138W BSS138W LMSEMI TBSS138w_LMS_LMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106; BSS138W L
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BSS138W BSS138W REALCHIP 1779679449377189.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS138PW; BSS138PW,115; BSS138W SOT323 RealChip TBSS138w REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS138W BSS138W YFW TBSS138w_LMS_LMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138W (=BSS138PW) SOT323 YFW TBSS138w YFW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BSS138W BSS138W ONSEMI ONSM-S-A0003590238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS138W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 210 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138W BSS138W ONSEMI ONSM-S-A0003590238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS138W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 210 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.17ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS138W 1779679449377189.pdf
BSS138W
Hersteller: GOODWORK
Description: 55V300mA1.2@10VSOT-323
auf Bestellung 30000 Stücke:
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BSS138W TBSS138w_LMS_LMSEMI_0001.pdf
BSS138W
Hersteller: LMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106; BSS138W L
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BSS138W 1779679449377189.pdf
BSS138W
Hersteller: REALCHIP
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS138PW; BSS138PW,115; BSS138W SOT323 RealChip TBSS138w REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BSS138W TBSS138w_LMS_LMSEMI_0001.pdf
BSS138W
Hersteller: YFW
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138W (=BSS138PW) SOT323 YFW TBSS138w YFW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BSS138W ONSM-S-A0003590238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 210 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS138W ONSM-S-A0003590238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 210 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.17ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Id, A: -4,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 7111 St.
  • 7111 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.29 EUR
10+0.19 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
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100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 42482 St.
  • 42482 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.24 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD5Z3.3T1G
Produktcode: 101351
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description esd5z25t1-d-datasheet.pdf
ESD5Z3.3T1G
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SOD-523
Spitzenleistung, P, W: 0,5 W
Durchbruchspannung, Vbr: 5 В
Sperrspannung, Vrm: 3,3 В
Leckstrom, Irm: 0,05 мкА
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
13+0.098 EUR
14+0.086 EUR
100+0.079 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
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330uF 6,3V EZV SMD sizeC8 6.3x7.7 (low imp.) (EZV331M0JRC8) (elektrolytischer Kondensator SMD niederohmig)
Produktcode: 30350
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EZV_070829.pdf
330uF 6,3V EZV SMD sizeC8 6.3x7.7 (low imp.) (EZV331M0JRC8) (elektrolytischer Kondensator SMD niederohmig)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 330 µF
Nennspannung: 6,3 V
Reihe: EZV, SMD niederohmig
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size C
Max. Welligkeitsstrom: 280 mA
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3517 St.
  • 3517 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.17 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 8 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
erwartet: 150 St.
  • 150 St. - erwartet
auf Bestellung: 2624 St.
  • 2624 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.3 EUR
10+0.23 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH