Produkte > Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden > S3M-E3/9AT Vishay/Jingdao
S3M-E3/9AT

S3M-E3/9AT Vishay/Jingdao

dps3msq-datasheet.pdf
Produktcode: 123345
Hersteller: Vishay/Jingdao
Gehäuse: DO-214AB
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 3 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,15 V
auf Bestellung 1633 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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S3M-E3/9AT S3M-E3/9AT Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 3369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.04 EUR
28+0.64 EUR
100+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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S3M-E3/9AT S3M-E3/9AT Hersteller : Vishay s3a.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2500ns 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3M-E3/9AT s3a.pdf
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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S3M-E3/9AT S3M-E3/9AT Hersteller : Vishay s3a.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SMC T/R
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S3M-E3/9AT S3M-E3/9AT Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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S3M-E3/9AT S3M-E3/9AT Hersteller : Vishay General Semiconductor s3a.pdf Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 100 Amp IFSM
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S5M (Diode)
Produktcode: 45776
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s5a-datasheet.pdf
S5M (Diode)
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214AB
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 5 А
Монтаж: SMD
auf Bestellung 503 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
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S1M (Toshiba)
Produktcode: 123317
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S1M (Toshiba)
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Austauschbar: S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, GS1A, GS1B, GS1D, GS1G, GS1J, GS1K, GS1M, 1N4007/M7
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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M24C16-RMN6P
Produktcode: 58235
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DM00061111.pdf
M24C16-RMN6P
Hersteller: ST
IC > IC Speicher
Gehäuse: SOIC-8
Beschreibung: EEPROM SERIAL I2C 16K(2KX8)
Strom.V: 1,8...5,5V
T°C: -40...+85°C
6: EEPROM
7: 16 кбіт
Інтерфейс: I2C
auf Bestellung 434 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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10A10
Produktcode: 172122
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datasheet-10a10.pdf
10A10
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: P-600
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 10 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1 V
auf Bestellung 4724 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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3 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1338
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RC_series.pdf
3 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 3 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 16600 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH