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SEMIX453GB12E4S

Produktcode: 154880
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SEMIX453GB12E4S SEMIX453GB12E4S Hersteller : SEMIKRON Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMiX 3s
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 683A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dual
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 683A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3 Stücke:
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SEMIX453GB12E4S Hersteller : Semikron IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
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