SGF80N60UFTU ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SGF80N60UFTU ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 80A TO-3PF, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PF, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns, Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off), Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 175 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A, Power - Max: 110 W.
Weitere Produktangebote SGF80N60UFTU nach Preis ab 5.8 EUR bis 8.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SGF80N60UFTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
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SGF80N60UFTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SGF80N60UFTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 19520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SGF80N60UFTU | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT 600V 80A TO-3PFPackaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off) Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 175 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 110 W |
auf Bestellung 21273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SGF80N60UFTU |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SGF80N60UFTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SGF80N60UFTU - IGBT, 80 A, 2.6 V, 110 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UF Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SGF80N60UFTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SGF80N60UFTU | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
IGBT Transistors Discrete Hi-P IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |

