SGH10N60RUFDTU ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 152+ | 3.53 EUR |
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Technische Details SGH10N60RUFDTU ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 16A TO-3PN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-3PN, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/36ns, Switching Energy: 141µJ (on), 215µJ (off), Test Condition: 300V, 10A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 75 W.
Weitere Produktangebote SGH10N60RUFDTU nach Preis ab 2.65 EUR bis 3.95 EUR
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SGH10N60RUFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 75W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 2197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SGH10N60RUFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 75W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 170526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SGH10N60RUFDTU | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT 600V 16A TO-3PN Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-3PN Td (on/off) @ 25°C: 15ns/36ns Switching Energy: 141µJ (on), 215µJ (off) Test Condition: 300V, 10A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 75 W |
auf Bestellung 173040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SGH10N60RUFDTU |
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auf Bestellung 8095 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SGH10N60RUFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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