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SGL160N60UFDTU

SGL160N60UFDTU ON Semiconductor

sgl160n60ufd-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Technische Details SGL160N60UFDTU ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 160A TO-264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-264-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/90ns, Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off), Test Condition: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V, Gate Charge: 345 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 250 W.

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SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU
Produktcode: 46014
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SGL160N60UFDTU Hersteller : ONS/FAI SGL160N60UFD.pdf IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Hersteller : onsemi sgl160n60ufd-d.pdf Description: IGBT 600V 160A TO-264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-264-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/90ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off)
Test Condition: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 250 W
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