SGP30N60
Produktcode: 34352
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SGP30N60
- IGBT, TO-220AB
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N
- Voltage Vces:600V
- Max Current Ic Continuous a:30A
- Max Voltage Vce Sat:2.1V
- Power Dissipation:250W
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Current Temperature:25`C
- Device Marking:SGP30N60
- Fall Time Tf:70ns
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Power Dissipation Ptot:250W
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:250W
- Pulsed Current Icm:116A
- Rise Time:40ns
Weitere Produktangebote SGP30N60
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SGP30N60 | Hersteller : INFINEON |
09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| SGP30N60 | Hersteller : Infineon |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
SGP30N60 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns Switching Energy: 1.29mJ Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A Power - Max: 250 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
SGP30N60 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 30A |
Produkt ist nicht verfügbar |