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SI2302CDS-T1-GE3

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 106495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
30000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.57 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
126+0.57 EUR
177+0.4 EUR
205+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 106519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 137877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.77 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.25 EUR
188+0.74 EUR
292+0.46 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 53985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 53985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 106495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
30000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
253+0.57 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
85+0.84 EUR
126+0.57 EUR
177+0.4 EUR
205+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 106519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 137877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+1.24 EUR
10+0.77 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
117+1.25 EUR
188+0.74 EUR
292+0.46 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 53985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 53985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
Hersteller: Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Радиатор к однофазным реле 10A-40A (size S: 80x50x50мм, цвет алюминий)
Produktcode: 153612
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Радиатор к однофазным реле 10A-40A (size S: 80x50x50мм, цвет алюминий)Радиатор к однофазным реле 10A-40A (size S: 80x50x50мм, цвет алюминий)
Радиатор к однофазным реле 10A-40A (size S: 80x50x50мм, цвет алюминий)Радиатор к однофазным реле 10A-40A (size S: 80x50x50мм, цвет алюминий)
Verstärkungs- und Metallstangen > Radiatoren
Beschreibung: Радіатор 80х50х50мм для SSR реле, білий
auf Bestellung 484 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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V23061-A1005-A302
Produktcode: 126054
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msr_v23061-datasheet.pdf
V23061-A1005-A302V23061-A1005-A302
V23061-A1005-A302V23061-A1005-A302
Hersteller: TE Connectivity
Relais
Relaistyp: Реле середньої потужності (5-20А)
Beschreibung: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Abmessungen: 28,6x10x15 mm
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max: 8 A
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1C)
Schaltspannung: 240 VAC; 30 VDC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Zange Crimper Pro'sKit 6PK-301H für isolierte Crimp-Kabelschlüssel neu
Produktcode: 26260
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description product_detail.asp?catid=5&itemid=6PK-301H
Zange Crimper Pro'sKit 6PK-301H für isolierte Crimp-Kabelschlüssel neu
Hersteller: Pro'sKit
Werkzeuge > Crimpzange
Тип: Crimpwerkzeuge
Опис: Zange fur die Stauchung isolierte Kontakte und Klemme am Draht AWG 10-12,14-16,18-20
auf Bestellung 4 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 226 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (Elektrolytkondensator SMD)
Produktcode: 23397
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EHV_090806.pdf
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (Elektrolytkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHV-SMD Hochtemperatur
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size A
Макс.пульс.струм: 17mA
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4000 St. - erwartet 10.08.2026
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