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SI2302CDS-T1-GE3

si2302cds.pdf
Produktcode: 210891
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
15000+0.24 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
21000+0.23 EUR
30000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.29 EUR
30000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+0.74 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.46W
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 6559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1 EUR
126+0.68 EUR
177+0.48 EUR
205+0.42 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.3 EUR
202+0.83 EUR
300+0.54 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 120717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 81200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 51918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
209+1.12 EUR
324+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 51918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
209+1.12 EUR
324+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 Vishay si2302cds.pdf Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
15000+0.24 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
21000+0.23 EUR
30000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.29 EUR
30000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
236+0.74 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.46W
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 6559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+1 EUR
126+0.68 EUR
177+0.48 EUR
205+0.42 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.3 EUR
202+0.83 EUR
300+0.54 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 120717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 81200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 51918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.94 EUR
209+1.12 EUR
324+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 51918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.94 EUR
209+1.12 EUR
324+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
Hersteller: Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Kühlkörper für einphasige Relais 10A-40A (size S: 80х50х50мм, Farbe Aluminium)
Produktcode: 153612
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Kühlkörper für einphasige Relais 10A-40A (size S: 80х50х50мм, Farbe Aluminium)Kühlkörper für einphasige Relais 10A-40A (size S: 80х50х50мм, Farbe Aluminium)
Kühlkörper für einphasige Relais 10A-40A (size S: 80х50х50мм, Farbe Aluminium)Kühlkörper für einphasige Relais 10A-40A (size S: 80х50х50мм, Farbe Aluminium)
Verstärkungs- und Metallstangen > Radiatoren
Beschreibung: Kühlkörper 80x50x50mm für SSR-Relais, weiß
auf Bestellung: 424 St.
  • 424 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.9 EUR
10+1.71 EUR
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Relais V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Produktcode: 126054
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msr_v23061-datasheet.pdf
Relais V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Relais V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Relais V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Relais V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Hersteller: TE Connectivity
Relais
Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
Beschreibung: Kontakttyp: 1C; USpule: 12V; I-Schalt: 8A
Abmessungen: 28,6x10x15 мм
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max.: 8 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1C)
Schaltspannung: 240 VAC; 30 VDC
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 50 St.
  • 50 St. - erwartet 26.07.2026
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1+7.04 EUR
10+6.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Zange 6PK-301H
Produktcode: 26260
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description product_detail.asp?catid=5&itemid=6PK-301H
Zange 6PK-301H
Hersteller: Pro'sKit
Werkzeuge > Crimpzange
Typ: Crimpwerkzeug
Beschreibung: Zange zum Crimpen von isolierte Kontakte und Klemmen auf Draht AWG 10-12,14-16,18-20
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+41.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
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description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 224 St.
  • 224 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.3 EUR
10+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Produktcode: 23397
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EHV_090806.pdf
10uF 16V EHV SMD sizeA (EHV100M16RA) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EHV, SMD Hochtemperatur
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size A
Max. Welligkeitsstrom: 17 mA
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.079 EUR
100+0.067 EUR
1000+0.051 EUR
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