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SI2302CDS-T1-GE3

si2302cds.pdf
Produktcode: 210891
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 142000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
30000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
320+0.45 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 320
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
134+0.53 EUR
189+0.38 EUR
219+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
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Anzahl Preis
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2302cds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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3+1.24 EUR
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100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 56101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 56101 Stücke:
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0008934058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2302cds.pdf Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2302CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2302cds.pdf MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Abmessungen: 28,6x10x15 mm
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max: 8 A
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auf Bestellung 6 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 226 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.44 EUR
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Макс.пульс.струм: 17mA
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erwartet: 4000 St.
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1000+0.04 EUR
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