SI4392ADY-T1-E3
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Technische Details SI4392ADY-T1-E3
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A, Mounting: SMD, Case: SO8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 21.5A, On-state resistance: 11.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 6.25W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 38nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 50A, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4392ADY-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| SI4392ADYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
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| SI4392ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6.25W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4392ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 21.5A 6.25W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4392ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6.25W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A |
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