Produkte > VISHAY > SI4464DY-T1-E3
SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3 Vishay

si4464dy.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.89 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 2500 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4464DY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

Weitere Produktangebote SI4464DY-T1-E3 nach Preis ab 0.88 EUR bis 5.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
7500+1.09 EUR
12500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.96 EUR
92+1.92 EUR
128+1.34 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.77 EUR
91+1.89 EUR
92+1.8 EUR
128+1.25 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 VISHAY si4464dy.pdf Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 13284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4464dy.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.05 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 VISHAY si4464dy.pdf Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
76+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DYT1E3 VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
7500+1.09 EUR
12500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+1.96 EUR
92+1.92 EUR
128+1.34 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+2.77 EUR
91+1.89 EUR
92+1.8 EUR
128+1.25 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 13284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.24 EUR
10+2.05 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.2 EUR
76+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DYT1E3
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH