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SI4840BDY-T1-E3

si4840bdy.pdf
Produktcode: 82270
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.25 EUR
5000+1.17 EUR
7500+1.12 EUR
12500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.74 EUR
103+1.7 EUR
122+1.39 EUR
250+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.15 EUR
102+1.68 EUR
103+1.59 EUR
122+1.29 EUR
250+1.23 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY si4840bdy.pdf Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
116+1.86 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4840bdy.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+2.2 EUR
100+1.76 EUR
250+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0003695236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 9419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
82+2.86 EUR
113+1.9 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
auf Bestellung 15332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.77 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4840BDYT1E3 VISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4840BDY-T1-E3 si4840bdy.pdf
SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.05 EUR
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SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.25 EUR
5000+1.17 EUR
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SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+1.74 EUR
103+1.7 EUR
122+1.39 EUR
250+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
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SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
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103+1.59 EUR
122+1.29 EUR
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500+1 EUR
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SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.46 EUR
116+1.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6209 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.83 EUR
10+2.2 EUR
100+1.76 EUR
250+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-E3 VISH-S-A0003695236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 9419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
82+2.86 EUR
113+1.9 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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SI4840BDY-T1-E3 si4840bdy.pdf
SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
auf Bestellung 15332 Stücke:
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5+4.33 EUR
10+2.77 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDYT1E3
Hersteller: VISHAY
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