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SI4840BDY-T1-E3

SI4840BDY-T1-E3 Vishay

si4840bdy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4840BDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
48+1.52 EUR
63+1.15 EUR
97+0.74 EUR
102+0.70 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 50A
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92+1.62 EUR
93+1.54 EUR
116+1.19 EUR
250+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 92
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93+1.49 EUR
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4840bdy.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
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10+1.88 EUR
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2500+1.02 EUR
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
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6+3.17 EUR
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4840bdy.pdf Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14746 Stücke:
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SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4840bdy.pdf Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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