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SI9407BDY-T1-E3

si9407bd.pdf
Produktcode: 183584
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.04 EUR
7500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.01 EUR
108+1.58 EUR
250+1.36 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
59+1.44 EUR
70+1.23 EUR
100+0.98 EUR
250+0.86 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 54912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.59 EUR
100+1.24 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 11168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.36 EUR
50+1.77 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
87+2.69 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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SI9407BDYT1E3 VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.04 EUR
7500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.01 EUR
108+1.58 EUR
250+1.36 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+2.06 EUR
59+1.44 EUR
70+1.23 EUR
100+0.98 EUR
250+0.86 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.69 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 54912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.7 EUR
10+1.59 EUR
100+1.24 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 11168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.71 EUR
10+2.36 EUR
50+1.77 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.57 EUR
87+2.69 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDYT1E3
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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