SI9407BDY-T1-E3
Produktcode: 183584
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 62308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
auf Bestellung 18839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI9407BDYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI9407BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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