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Technische Details SI9933CDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI9933CDY-T1-E3 nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SI9933CDY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI9933CDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9933CDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2632 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si9933CDY-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 23260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Si9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 9040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI9933CDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 29 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| SI9933CDYT1E3 | VISHAY |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| Si9933CDY-T1-E3 | VISHAY |
08+ SOT-23 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI9933CDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 390+ | 0.45 EUR |
| Si9933CDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.46 EUR |
| 7500+ | 0.44 EUR |
| SI9933CDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 164+ | 1.54 EUR |
| 262+ | 0.89 EUR |
| SI9933CDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 153+ | 1.63 EUR |
| 291+ | 0.8 EUR |
| 323+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| Si9933CDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 23260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| Si9933CDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 9040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.01 EUR |
| 17+ | 1.25 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| SI9933CDY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI9933CDYT1E3 |
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Si9933CDY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
08+ SOT-23
08+ SOT-23
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)