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| 486+ | 0.3 EUR |
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Technische Details SI9933CDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI9933CDY-T1-E3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SI9933CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
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Si9933CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Si9933CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 28472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Si9933CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 9040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI9933CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9933CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9933CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI9933CDYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Si9933CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
08+ SOT-23 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI9933CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI9933CDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| Si9933CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| Si9933CDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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