SKM150GAL12T4 Semikron
Produktcode: 175855
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Semikron
Gehäuse: 94x34x30 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 232 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 179 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 180/410
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Weitere Produktangebote SKM150GAL12T4 nach Preis ab 112.26 EUR bis 206.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SKM150GAL12T4 22892300 | SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SEMITRANS2 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 450A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 179A Topology: boost chopper |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKM150GAL12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM150GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 232A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 232A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SKM150GAL12T4 22892300 |
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Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMITRANS2
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 450A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 179A
Topology: boost chopper
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMITRANS2
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 450A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 179A
Topology: boost chopper
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 141.05 EUR |
| 3+ | 126.96 EUR |
| 5+ | 112.26 EUR |
| SKM150GAL12T4 |
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Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM150GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 232A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 232A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: SEMIKRON - SKM150GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 232A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 232A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 206.01 EUR |
| 5+ | 176.38 EUR |
| 10+ | 147.74 EUR |
| 50+ | 145.98 EUR |