SKM200GB125D

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 300A
Version: D56

Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C