SKM400GB12E4 Semicron
Produktcode: 105249
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: Semicron
Gehäuse: 106,4x61,4x30,5 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 616
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 474
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 242/580
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SKM400GB12E4 Semicron
SEMIKRON SKM400GB12E4
IGBT Modul 600A 1200V Halbbrücke Semitrans
Hersteller SEMIKRON
Modul-Typ IGBT
Struktur des Halbleiters Transistor/Transistor
Topologie IGBT Halbbrücke
Rückspannung max. 1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom 400A
Gehäuse SEMITRANS3
Ausführung D56
Anwendung Wechselrichter,
Frequenzwandler
Elektrische Montage schraubbar,
Steckverbinder FASTON
Montage schraubbar
Gate - Emitter Spannung ±20V
Kollektorstrom im Impuls 1.2kA
Betriebstemperatur -40…125ﹾC
Abmessungen 106,4x61,4x30,5mm
Produktcode
105249
Weitere Produktangebote SKM400GB12E4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM400GB12E4 | Semikron | Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, півмісток IGBT, Urmax: 1,2кВ Силові IGBT-модулі |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SKM400GB12E4 |
Hersteller: Semikron
Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, півмісток IGBT, Urmax: 1,2кВ Силові IGBT-модулі
Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, півмісток IGBT, Urmax: 1,2кВ Силові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH