SKM400GB12E4 Semicron
Produktcode: 105249
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Semicron
Gehäuse: 106,4x61,4x30,5 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 616 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 474 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 242/580
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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Technische Details SKM400GB12E4 Semicron
SEMIKRON SKM400GB12E4
IGBT Modul 600A 1200V Halbbrücke Semitrans
Hersteller SEMIKRON
Modul-Typ IGBT
Struktur des Halbleiters Transistor/Transistor
Topologie IGBT Halbbrücke
Rückspannung max. 1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom 400A
Gehäuse SEMITRANS3
Ausführung D56
Anwendung Wechselrichter,
Frequenzwandler
Elektrische Montage schraubbar,
Steckverbinder FASTON
Montage schraubbar
Gate - Emitter Spannung ±20V
Kollektorstrom im Impuls 1.2kA
Betriebstemperatur -40…125ﹾC
Abmessungen 106,4x61,4x30,5mm
Produktcode
105249
Weitere Produktangebote SKM400GB12E4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM400GB12E4 | Semikron | Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, півмісток IGBT, Urmax: 1,2кВ Силові IGBT-модулі |
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SKM400GB12E4 22892087 | SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Version: D56 |
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| SKM400GB12E4 |
Hersteller: Semikron
Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, півмісток IGBT, Urmax: 1,2кВ Силові IGBT-модулі
Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, півмісток IGBT, Urmax: 1,2кВ Силові IGBT-модулі
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| SKM400GB12E4 22892087 |
![]() |
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Version: D56
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Version: D56
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