SKM50GB123D
Produktcode: 113241
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Technische Details SKM50GB123D
- IGBT MODULE, DUAL
- Module Configuration:1 Pair Series Connection
- DC Collector Current:50A
- Max Voltage Vce Sat:2.8V
- Max Power Dissipation:310W
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Operating Temperature Range:-40`C to +150`C
- SVHC:No SVHC
- Case Style:SEMITRANS 2
- External Depth:34mm
- External Length / Height:29.5mm
- External Width:94mm
- No. of Transistors:2
- Termination Type:Screw
- Transistor Polarity:N Channel
- Transistor Type:IGBT Module
- Av Current Ic:50A
- Current Temperature:25`C
- Fixing Centres:80mm
- Fixing Hole Diameter:6.4mm
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Current Ic Continuous b:40A
- Max Power Dissipation Ptot:400W
- Power Dissipation:310W
- Power Dissipation Pd:400W
- Pulsed Current Icm:100A
- Rise Time:60ns
- Voltage Vces:1200V
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM50GB123D | Hersteller : SEMIKRON | MODULE |
auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SKM50GB123D | Hersteller : Semikron |
 IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
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