SKM50GB12T4 SEMIKRON
Hersteller: SEMIKRONDescription: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 84733020
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 81A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Technische Details SKM50GB12T4 SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2, tariffCode: 84733020, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 81A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: SEMITRANS 2, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 81A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SKM50GB12T4 Produktcode: 43551
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SKM50GB12T4 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A Case: SEMITRANS2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Version: D61 Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SKM50GB12T4 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A Case: SEMITRANS2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Version: D61 Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge |
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