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SKM50GB12T4

Produktcode: 43551
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details SKM50GB12T4

  • IGBT HALFBRIDGE MODULE 50A 1200V
  • Case Style:SEMITRANS 2
  • Termination Type:Screw

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SKM50GB12T4 SKM50GB12T4 Hersteller : SEMIKRON SEMI-S-A0002552774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 84733020
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SKM50GB12T4 Hersteller : Semikron IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
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