SKM75GB124D
Produktcode: 60563
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Technische Details SKM75GB124D
- IGBT MODULE, HALF BRIDGE
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Case Style:SEMITRANS 2
- External Depth:34mm
- External Length / Height:29.5mm
- External Width:94mm
- No. of Transistors:2
- Transistor Polarity:N
- Transistor Type:IGBT
- Av Current Ic:100A
- Current Temperature:25`C
- Fixing Centres:80mm
- Fixing Hole Diameter:6.4mm
- Max Current Ic Continuous a:100A
- Max Current Ic Continuous b:75A
- Max Power Dissipation Ptot:450W
- Power Dissipation Pd:450W
- Pulsed Current Icm:200A
- Rise Time:55ns
- Voltage Vces:1200V
Weitere Produktangebote SKM75GB124D
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM75GB124D | Hersteller : SEMIKRON | MODULE |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SKM75GB124D | Hersteller : Semikron |
 IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
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