SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 313W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 84A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 85ns, Turn-off time: 760ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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SKW25N120 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 84A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 760ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKW25N120 Produktcode: 26558 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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SKW25N120 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A |
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