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SKW30N60HS (Äquivalent HGTG30N60A4D)

SKW30N60HS (Äquivalent HGTG30N60A4D) Infineon

skw30n60hs.pdf
Produktcode: 73560
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 30 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 20/250
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+5 EUR
10+4.52 EUR
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Möglichen Substitutionen SKW30N60HS (Äquivalent HGTG30N60A4D) Infineon

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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ON HGTG30N60A4D.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 24/180
erwartet: 5 St.
  • 5 St. - erwartet
auf Bestellung: 15 St.
  • 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+15.28 EUR
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HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 24/180
erwartet: 5 St.
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Weitere Produktangebote SKW30N60HS (Äquivalent HGTG30N60A4D)

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKW30N60HS Infineon Technologies Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 1.15mJ
Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
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SKW30N60HS SKW30N60HS Infineon Technologies IGBTs HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A
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SKW30N60HS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 1.15mJ
Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A
Power - Max: 250 W
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SKW30N60HS
SKW30N60HS
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A
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