SPP20N60S5 Infineon
Produktcode: 32013
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
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Technische Details SPP20N60S5 Infineon
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:600V
- Cont Current Id:20A
- On State Resistance:0.19ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4.5V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Power Dissipation Ptot:208W
- Max Voltage Vds:600V
- Max Voltage Vgs th:5.5V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:208W
- Power Dissipation Pd:208W
- Pulse Current Idm:40A
- Voltage Vds:600V
- Transistor Case Style:TO-220
Weitere Produktangebote SPP20N60S5 nach Preis ab 2.95 EUR bis 7.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SPP20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60S5 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5 |
auf Bestellung 5487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| SPP20N60S5 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.38 EUR |
| 18+ | 3.98 EUR |
| 23+ | 3.17 EUR |
| 25+ | 2.95 EUR |
| SPP20N60S5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
MOSFETs N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
auf Bestellung 5487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.71 EUR |
| 10+ | 4.08 EUR |
| 100+ | 3.71 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| SPP20N60C3 Produktcode: 25463
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 85 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 8ETH06PBF Produktcode: 22359
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Vrr, V: 600
Iav, A: 8
Trr, ns: 18
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Vrr, V: 600
Iav, A: 8
Trr, ns: 18
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.72 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 2200uF 16V EHR 13X21mm (EHR222M16B-Hitano) Produktcode: 20914
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 13х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 13х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 20 St.
erwartet: 3000 St.
- 3000 St. - erwartet
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| FQPF8N60C Produktcode: 13455
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|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 101 St.
- 1 St. - stock Köln
- 100 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.26 EUR |
| 10+ | 1.1 EUR |
| 3300uF 16V ECR 13x26mm (ECR332M16B-Hitano) Produktcode: 3047
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 13x26mm
Lebensdauer: 13х26mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 13x26mm
Lebensdauer: 13х26mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 1271 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.16 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |







