Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > SPP20N60S5 Infineon
SPP20N60S5

SPP20N60S5 Infineon

SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
Produktcode: 32013
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SPP20N60S5 Infineon

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:20A
  • On State Resistance:0.19ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4.5V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:208W
  • Max Voltage Vds:600V
  • Max Voltage Vgs th:5.5V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:208W
  • Power Dissipation Pd:208W
  • Pulse Current Idm:40A
  • Voltage Vds:600V
  • Transistor Case Style:TO-220

Weitere Produktangebote SPP20N60S5 nach Preis ab 2.95 EUR bis 6.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
18+3.98 EUR
23+3.17 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
18+3.98 EUR
23+3.17 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SPP20N60S5_DS_v02_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
auf Bestellung 6110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.85 EUR
10+3.73 EUR
100+3.4 EUR
500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : Infineon Technologies SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

STP14NK60ZFP
Produktcode: 901
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description STP14NK60ZFP.pdf
STP14NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 31 Stück
4 Stück - stock Köln
27 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 200 Stück
200 Stück - erwartet 06.03.2026
Anzahl Preis
1+1.56 EUR
10+1.4 EUR
1000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3
Produktcode: 25463
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 110 Stück:
100 Stück - erwartet 06.03.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8ETH06PBF
Produktcode: 22359
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

8eth06pbf.pdf
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220-2
Vrr, V: 600
Iav, A: 8
Trr, ns: 18
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2200uF 16V EHR 13X21mm (EHR222M16B-Hitano)
Produktcode: 20914
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

EHR_081225.pdf
2200uF 16V EHR 13X21mm (EHR222M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 13х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 1585 Stück
21 Stück - stock Köln
1564 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.18 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH