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SPP20N60S5

SPP20N60S5 Infineon

SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
Produktcode: 32013
Hersteller: Infineon
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
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Technische Details SPP20N60S5 Infineon

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:20A
  • On State Resistance:0.19ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4.5V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:208W
  • Max Voltage Vds:600V
  • Max Voltage Vgs th:5.5V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:208W
  • Power Dissipation Pd:208W
  • Pulse Current Idm:40A
  • Voltage Vds:600V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SPP20N60S5_DS_v02_08_en-1227687.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
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100+3.80 EUR
500+3.13 EUR
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SPP20N60S5 SPP20N60S5 Hersteller : Infineon Technologies SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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STP14NK60ZFP
Produktcode: 901
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description STP14NK60ZFP.pdf
STP14NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 170 Stück
4 Stück - stock Köln
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Anzahl Preis
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Пластиковий холдер держатель для 1x18650
Produktcode: 190090
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1000uF 63V EXR 16x31mm (EXR102M63B-Hitano)
Produktcode: 2454
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EXR_080421.pdf
1000uF 63V EXR 16x31mm (EXR102M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x31mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 12 Stück
erwartet: 1500 Stück
1500 Stück - erwartet 15.07.2025
Anzahl Preis
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100+0.81 EUR
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330pF 3kV Y5P K(+/-10%) D<=6,5mm (KB3F331K-L516BD6.5-Hitano)
Produktcode: 2423
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HI_Voltage_070726.pdf
330pF 3kV Y5P K(+/-10%) D<=6,5mm (KB3F331K-L516BD6.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 330pF
Nennspannung: 3000V
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=6,5mm
Part Nummer: KB3F331K-L516BD6.5
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 321 Stück
125 Stück - stock Köln
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Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
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1,2nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B122K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1927
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X7R_X5R.pdf
1,2nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B122K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1,2nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 1982 Stück:
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 10
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