Produkte > VISHAY > SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3

SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay

sq4946cey.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SQ4946CEY-T1_GE3 nach Preis ab 0.51 EUR bis 3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay sq4946cey.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay sq4946cey.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.71 EUR
249+0.69 EUR
253+0.67 EUR
257+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay sq4946cey.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.73 EUR
245+0.69 EUR
249+0.65 EUR
253+0.62 EUR
257+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4946cey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1"GE3 SQ4946CEY-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1"GE3 - DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE 42AJ0901
tariffCode: 0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 12484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.83 EUR
159+1.46 EUR
208+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.68 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 VISHAY sq4946cey.pdf Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
152+1.54 EUR
189+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 VISHAY sq4946cey.pdf Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
152+1.54 EUR
189+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq4946cey.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 42829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4946cey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
245+0.71 EUR
249+0.69 EUR
253+0.67 EUR
257+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
241+0.73 EUR
245+0.69 EUR
249+0.65 EUR
253+0.62 EUR
257+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1"GE3
SQ4946CEY-T1"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1"GE3 - DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE 42AJ0901
tariffCode: 0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 12484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
137+1.83 EUR
159+1.46 EUR
208+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.68 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
152+1.54 EUR
189+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
152+1.54 EUR
189+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 42829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.93 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH