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SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix

sqd10n30-330h.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.17 EUR
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Technische Details SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 107W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm.

Weitere Produktangebote SQD10N30-330H_GE3 nach Preis ab 1.24 EUR bis 5.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 VISHAY VISH-S-A0001861099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
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SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Vishay / Siliconix sqd10n30-330h.pdf MOSFETs N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 11926 Stücke:
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1+3.94 EUR
10+2.51 EUR
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SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix sqd10n30-330h.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
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SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 VISHAY VISH-S-A0001861099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
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Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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SQD10N30-330H"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQD10N30-330H"GE3 - N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFET 20AC3974
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
68+3.46 EUR
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SQD10N30-330H_GE3 VISH-S-A0001861099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD10N30-330H_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
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1000+1.31 EUR
2000+1.24 EUR
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SQD10N30-330H_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
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Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2471 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+1.37 EUR
1000+1.32 EUR
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SQD10N30-330H_GE3 VISH-S-A0001861099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD10N30-330H_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.34 EUR
57+4.13 EUR
100+3.26 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
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SQD10N30-330H"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD10N30-330H"GE3 - N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFET 20AC3974
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.8 EUR
68+3.46 EUR
76+2.84 EUR
86+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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