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SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj211elp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.18 EUR
6000+1.11 EUR
9000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Weitere Produktangebote SQJ211ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.94 EUR bis 5.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.26 EUR
141+1.24 EUR
153+1.11 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.33 EUR
140+1.21 EUR
141+1.17 EUR
153+1.02 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
113+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj211elp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.2 EUR
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SQJ211ELP-T1"GE3 SQJ211ELP-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
82+2.83 EUR
91+2.38 EUR
100+2.17 EUR
109+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
75+3.11 EUR
113+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
140+1.26 EUR
141+1.24 EUR
153+1.11 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
132+1.33 EUR
140+1.21 EUR
141+1.17 EUR
153+1.02 EUR
250+0.94 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3 VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
113+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
1+4.13 EUR
10+2.64 EUR
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500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.2 EUR
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SQJ211ELP-T1"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
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Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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82+2.83 EUR
91+2.38 EUR
100+2.17 EUR
109+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SQJ211ELP-T1_GE3 VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.27 EUR
75+3.11 EUR
113+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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