| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 9000+ | 0.23 EUR |
| 24000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details SSM6K403TU,LF Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.2A, Power dissipation: 0.5W, Case: UF6, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 66mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 16.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Weitere Produktangebote SSM6K403TU,LF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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SSM6K403TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6 |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SSM6K403TU,LF(T | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 0.5W Case: UF6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 271 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM6K403TU,LF |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| SSM6K403TU,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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