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SSP2N60B

FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 45183
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSP2N60B SSP2N60B Fairchild Semiconductor FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 372000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
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SSP2N60B ON Semiconductor FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SSP2N60B
auf Bestellung 372000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1713+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
100000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1713 Stücke
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SSP2N60B ONSEMI FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SSP2N60B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 322000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2004+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2004 Stücke
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auf Bestellung 980 Stücke:
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SSP2N60B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
SSP2N60B
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AnzahlPrivatkunde
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10000+0.33 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SSP2N60B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Mindestbestellmenge: 2004 Stücke
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