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STD12NF06L-1

STD12NF06L-1 STMicroelectronics

std12nf06l-1.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+1.27 EUR
113+0.75 EUR
126+0.68 EUR
166+0.51 EUR
181+0.48 EUR
525+0.4 EUR
1050+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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Technische Details STD12NF06L-1 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 42.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StripFET II, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD12NF06L-1 STD12NF06L-1 STMicroelectronics en.DM00124279.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
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2+1.95 EUR
10+1.2 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
12000+0.51 EUR
30000+0.4 EUR
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STD12NF06L-1 STD12NF06L-1 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000954337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 42.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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STD12NF06L-1 STD12NF06L-1 STMicroelectronics en.DM00124279.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 4614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
75+1.3 EUR
150+1.15 EUR
525+0.96 EUR
1050+0.88 EUR
2025+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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STD12NF06L-1 ST en.DM00124279.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD12NF06L-1 STMicroelectronics TSTD12NF06L-1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STD12NF06L1 ST
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STD12NF06L-1
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 42.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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2025+0.81 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD12NF06L-1 STMicroelectronics TSTD12NF06L-1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STD12NF06L1
Hersteller: ST
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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