STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 14+ | 1.98 EUR |
| 75+ | 1.63 EUR |
| 150+ | 1.18 EUR |
| 525+ | 0.99 EUR |
| 1050+ | 0.84 EUR |
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Technische Details STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STD12NF06L-1 nach Preis ab 0.64 EUR bis 3.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp |
auf Bestellung 17677 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42.8W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 3393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD12NF06L1 | Hersteller : ST |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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