STD12NF06L-1 STMicroelectronics
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Technische Details STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StripFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD12NF06L-1 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD12NF06L1 | Hersteller : ST |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STD12NF06L-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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