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STD25NF10LT4

STD25NF10LT4 STMicroelectronics

STD25NF10L.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
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Anzahl Preis
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Technische Details STD25NF10LT4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Packaging: Tape & Reel (TR), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 Hersteller : STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 25 Amp
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STD25NF10L-T4
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