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STD25NF10LT4

STD25NF10LT4

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Produktcode: 57765
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Hersteller: ST
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/38
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics std25nf10lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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2500+1.51 EUR
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STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
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10+4.15 EUR
50+3.2 EUR
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STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 25 Amp
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1+6.41 EUR
10+3.22 EUR
100+2.92 EUR
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1000+2.37 EUR
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STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics STD25NF10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
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STD25NF10L-T4
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STD25NF10LT4 
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STD25NF10LT4
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Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
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Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
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Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
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