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STD35NF06LT4

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Produktcode: 41124
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics cd0000236.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1 EUR
5000+0.94 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics cd0000236.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.01 EUR
5000+0.98 EUR
10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002363.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
5000+1.04 EUR
7500+1 EUR
12500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics cd0000236.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics std35nf06l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
43+1.99 EUR
49+1.75 EUR
59+1.46 EUR
67+1.27 EUR
100+1.12 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMICROELECTRONICS SGSTS31561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD35NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
128+1.68 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002363.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 35 Amp
auf Bestellung 7986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.11 EUR
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STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002363.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 37367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMICROELECTRONICS SGSTS31561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD35NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
79+2.95 EUR
117+1.83 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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STD35NF06L-T4
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STD35NF06LT4 cd0000236.pdf
STD35NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1 EUR
5000+0.94 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD35NF06LT4 cd0000236.pdf
STD35NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.01 EUR
5000+0.98 EUR
10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD35NF06LT4 en.CD00002363.pdf
STD35NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.11 EUR
5000+1.04 EUR
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12500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD35NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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STD35NF06LT4 std35nf06l.pdf
STD35NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.5 EUR
43+1.99 EUR
49+1.75 EUR
59+1.46 EUR
67+1.27 EUR
100+1.12 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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STD35NF06LT4 SGSTS31561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD35NF06LT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD35NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
128+1.68 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD35NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 35 Amp
auf Bestellung 7986 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD35NF06LT4 en.CD00002363.pdf
STD35NF06LT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 37367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.92 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STD35NF06LT4 SGSTS31561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD35NF06LT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD35NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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51+4.95 EUR
79+2.95 EUR
117+1.83 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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STD35NF06L-T4
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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