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STGB10NB37LZT4 (fehlender Widerstand GE)

STGB10NB37LZT4 (fehlender Widerstand GE) Китай

Produktcode: 212617
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Hersteller: Китай
Gehäuse: D²PAK
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 10 A
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
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ST cd00002226-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D²PAK
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 410 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 10 A
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
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  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+4.01 EUR
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics STGB10NB37LZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 440V
Pulsed collector current: 40A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.52 EUR
26+3.33 EUR
32+2.69 EUR
36+2.4 EUR
50+2.02 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics en.CD00002226.pdf IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+4.16 EUR
100+2.76 EUR
500+2.32 EUR
1000+1.65 EUR
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.53 EUR
10+6.33 EUR
100+4.51 EUR
500+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: ST
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Gehäuse: D²PAK
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 410 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 10 A
verfügbar: 6 St.
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 440V
Pulsed collector current: 40A
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
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Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
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