STGB6NC60HDT4


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Produktcode: 216505
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details STGB6NC60HDT4

  • IGBT, SMD, 600V, 7A, D2-PAK
  • Transistor Type:PowerMESH
  • Max Voltage Vce Sat:2.5V
  • No. of Pins:3
  • Case Style:D2-PAK
  • Fall Time Tf:76ns
  • Max Current Ic Continuous a:15A
  • Power Dissipation:56W
  • Pulsed Current Icm:21A
  • Rise Time:5ns
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Voltage Vces:600V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00058424.pdf description Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00058424.pdf description IGBTs PowerMESH TM IGBT
auf Bestellung 7925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00058424.pdf description Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.71 EUR
100+1.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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STGB6NC60HDT4 description en.CD00058424.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
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IGBTs PowerMESH TM IGBT
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Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
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