STGD14NC60KT4


Produktcode: 121195
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGD14NC60KT4 STGD14NC60KT4 STMicroelectronics IGBTs N-channel MOSFET
auf Bestellung 2047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.33 EUR
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STGD14NC60KT4 STMicroelectronics Description: IGBT 600V 25A 80W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.9 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STGD14NC60KT4
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs N-channel MOSFET
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STGD14NC60KT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 25A 80W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
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