STGD18N40LZT4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 101+ | 1.42 EUR |
| 103+ | 1.35 EUR |
| 104+ | 1.28 EUR |
| 106+ | 1.21 EUR |
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| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
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Technische Details STGD18N40LZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 25A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STGD18N40LZT4 nach Preis ab 0.85 EUR bis 3.08 EUR
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 420V 25A 125W DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Test Condition: 300V, 10A, 5V Gate Charge: 29 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT |
auf Bestellung 1889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD18N40LZT4 |
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auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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STGD18N40LZT4 Produktcode: 73438
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 420V 25A 125W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Test Condition: 300V, 10A, 5V Gate Charge: 29 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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STGD18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 420V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD |
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