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STGD18N40LZT4

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics 116cd00182201.pdf Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2379 Stücke:
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101+1.75 EUR
103+1.67 EUR
104+1.57 EUR
106+1.49 EUR
250+1.4 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.25 EUR
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics 116cd00182201.pdf Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics 116cd00182201.pdf Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics en.CD00182201.pdf Description: IGBT 420V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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6+3.61 EUR
10+2.31 EUR
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics en.CD00182201.pdf IGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMICROELECTRONICS en.CD00182201.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
85+2.76 EUR
100+2.31 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD18N40LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 420V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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STGD18N40LZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
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BAV70
Produktcode: 177782
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BAV70%20N0592%20REV.B.pdf Infineon-BAV70SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef6801141c0ba40e041d
BAV70
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev., V: 85 В
Iausr., A: 0,2 А
Beschreibung: 4 ns
Austauschbar: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 0.2 A pro Diode.
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.015 EUR
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MICA TO220 Glimmer-Pad 1,2K/W 18x13X0,1 für TO220
Produktcode: 27920
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MICA TO220 Glimmer-Pad 1,2K/W 18x13X0,1 für TO220
Hersteller: Mica
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Glimmer-Pad 1,2K/W. für Gehäuse TO-220
Größe: 18x13x0,1mm + Bohrung3mm
Material: Glimmer
Farbe: Weiß
auf Bestellung: 2726 St.
  • 2726 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.094 EUR
100+0.075 EUR
1000+0.046 EUR
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16,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3438
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RC_series.pdf
16,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 16,2 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1000 St.
  • 1000 St. - stock Köln
auf Bestellung: 7800 St.
  • 7800 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1722
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 5000 St.
  • 5000 St. - stock Köln
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 52 St.
  • 52 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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