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STGD18N40LZT4

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics 116cd00182201.pdf Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2379 Stücke:
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics 116cd00182201.pdf Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics 116cd00182201.pdf Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics en.CD00182201.pdf Description: IGBT 420V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0013082225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1785 Stücke:
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68+3.7 EUR
89+2.62 EUR
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STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 STMicroelectronics en.CD00182201.pdf IGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
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1+3.89 EUR
10+2.49 EUR
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500+1.39 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
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Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Größe: 18x13x0,1mm + Bohrung3mm
Material: Glimmer
Farbe: Weiß
auf Bestellung 2790 St.:
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16,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3438
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16,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 16,2 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 8800 St.
  • 1000 St. - stock Köln
  • 7800 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1722
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 6452 St.
  • 5000 St. - stock Köln
  • 1452 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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