STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics
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Technische Details STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STGD3HF60HDT4 nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.11 EUR
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STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM |
auf Bestellung 19371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off) Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W |
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STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STGD3HF60HDT4 Produktcode: 149103
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4.5A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off) Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W |
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| STGD3HF60HDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4.5A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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