STGD3HF60HDT4
Produktcode: 149103
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote STGD3HF60HDT4 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM |
auf Bestellung 18450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off) Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W |
auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGD3HF60HDT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1631 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD3HF60HDT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1631 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD3HF60HDT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.48 EUR |
| STGD3HF60HDT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.49 EUR |
| 5000+ | 0.46 EUR |
| 7500+ | 0.44 EUR |
| STGD3HF60HDT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
auf Bestellung 18450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.48 EUR |
| 10+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2500+ | 0.55 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |
| STGD3HF60HDT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 38 W
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 38 W
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.51 EUR |
| 14+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| STGD3HF60HDT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.95 EUR |
| 135+ | 1.73 EUR |
| 205+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| STGD3HF60HDT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.95 EUR |
| 135+ | 1.73 EUR |
| 205+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |