STGD5NB120SZT4


STGD5NB120SZ.pdf
Produktcode: 35358
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Hersteller: ST
Gehäuse: DPAK
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,2 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 10 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 5 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 55 W
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics STGD5NB120SZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Collector current: 5A
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Features of semiconductor devices: internally clamped
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.98 EUR
44+1.95 EUR
50+1.71 EUR
55+1.55 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics en.CD00003381.pdf Description: IGBT 1200V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics en.CD00003381.pdf IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.24 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Collector current: 5A
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Features of semiconductor devices: internally clamped
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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Description: IGBT 1200V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
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IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
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