STGD5NB120SZT4


STGD5NB120SZ.pdf
Produktcode: 35358
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Hersteller: ST
Gehäuse: DPAK
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,2 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 10 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 5 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 55 W
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics STGD5NB120SZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Collector current: 5A
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Features of semiconductor devices: internally clamped
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 75W
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.09 EUR
41+2.07 EUR
49+1.75 EUR
54+1.58 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics en.CD00003381.pdf IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+2.98 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.37 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Collector current: 5A
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Features of semiconductor devices: internally clamped
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 75W
Type of transistor: IGBT
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