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STGF10NC60KD

STGF10NC60KD STMicroelectronics

en.CD00058414.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
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Technische Details STGF10NC60KD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 9A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220FP, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns, Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 9 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 25 W.

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STGF10NC60KD STGF10NC60KD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
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STGF10NC60KD STGF10NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF10NC60KD STGF10NC60KD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf IGBTs PowerMESH" IGBT
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STGF10NC60KD STGF10NC60KD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 9A TO-220FP
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Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 25 W
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STGF10NC60KD STGF10NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF10NC60KD STGF10NC60KD Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003149639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGF10NC60KD - IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGF10NC60KD STGF10NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Produktcode: 54033
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STGF10NC60KD STGF10NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF10NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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