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STGF14NC60KD

STGF14NC60KD STMicroelectronics

10193667262203265.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 28W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details STGF14NC60KD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 11A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: TO-220FP, Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns, Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off), Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 34.4 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 28 W.

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STGF14NC60KD STGF14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics 10193667262203265.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 28W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF14NC60KD STGF14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E947F9565C745&compId=STGF14NC60KD.pdf?ci_sign=a79ff2fffe93302c99915e960978398ca5cd5623 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 34.4nC
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Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Collector current: 7A
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Power dissipation: 28W
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STGF14NC60KD STGF14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgb14nc60kdt4-1850796.pdf IGBTs PowerMESH" IGBT
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STGF14NC60KD STGF14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058415.pdf Description: IGBT 600V 11A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
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STGF14NC60KD STGF14NC60KD Hersteller : STMicroelectronics 10193667262203265.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 28000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF14NC60KD STGF14NC60KD Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003328372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGF14NC60KD - IGBT, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 11A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STGF14NC60KD
Produktcode: 128943
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