STGF19NC60KD STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.57 EUR |
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Technische Details STGF19NC60KD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 16A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-220FP, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns, Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off), Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 32 W.
Weitere Produktangebote STGF19NC60KD nach Preis ab 1.94 EUR bis 4.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGF19NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGF19NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube |
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STGF19NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGF19NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGF19NC60KD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGF19NC60KD - IGBT, 16 A, 2 V, 32 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STGF19NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF19NC60KD |
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STGF19NC60KD Produktcode: 81562
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGF19NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGF19NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STGF19NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 16A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 32 W |
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