STGF20H60DF STMicroelectronics
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Technische Details STGF20H60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns, Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 37 W.
Weitere Produktangebote STGF20H60DF nach Preis ab 2.73 EUR bis 6.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STGF20H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
 IGBT Transistors 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
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STGF20H60DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGF20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 37 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A |
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STGF20H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 37 W |
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STGF20H60DF Produktcode: 144763 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGF20H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STGF20H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGF20H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STGF20H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 37W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STGF20H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 37W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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